China desenvolve memória flash mais rápida do mundo com escrita em picossegundos
A China continua a impressionar com avanços tecnológicos no setor de hardware. A mais recente inovação vem da Universidade de Fudan, em Xangai, onde pesquisadores desenvolveram uma nova tecnologia de memória flash ultrarrápida, capaz de realizar operações de leitura e escrita em apenas 400 picossegundos — um trilionésimo de segundo.
Essa nova tecnologia representa um avanço significativo frente às memórias utilizadas atualmente. Para fins de comparação, memórias SRAM e DRAM, presentes na cache da CPU e na memória RAM, realizam operações em cerca de 1 a 10 nanossegundos. Já os SSDs, baseados em memória flash convencional, operam em milissegundos, o que os torna muito mais lentos que a nova solução chinesa.
Memória PoX: alta velocidade e retenção de dados
O novo tipo de memória, batizado de PoX (Phase-change Oxide), se destaca não apenas pela velocidade extrema, mas também por ser não volátil, ou seja, mantém os dados armazenados mesmo sem alimentação elétrica — assim como SSDs e pendrives. Isso a diferencia da RAM, que perde todas as informações ao desligar o sistema.
Segundo o professor Zhou Peng, envolvido no projeto:
“Ao usar algoritmos de IA para otimizar as condições de teste do processo, avançamos significativamente com essa inovação e abrimos caminho para suas futuras aplicações.”
Avanço estratégico para a inteligência artificial
O principal objetivo da PoX é eliminar gargalos de desempenho causados pelas tecnologias de memória atuais, especialmente em aplicações com inteligência artificial. A velocidade da nova memória poderá acelerar a inferência de IA localmente, o que é essencial para dispositivos como smartphones e computadores.
A pesquisadora Liu Chunsen, também da Universidade de Fudan, comentou sobre os próximos passos do projeto:
“Agora conseguimos fabricar um chip em pequena escala e totalmente funcional. A próxima etapa envolve integrá-lo aos smartphones e computadores existentes. Dessa forma, ao implantar modelos locais, não encontraremos mais os problemas de gargalo, como atraso e aquecimento, causados pela tecnologia de armazenamento existente.”
A equipe já trabalha com parceiros de fabricação para escalar a produção da memória PoX, que promete revolucionar o mercado de armazenamento e IA, consolidando a China como uma protagonista global em inovação tecnológica.
